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三氟化氮(NF3),是一种无色、无臭、性质稳定的气体,是一种强氧化剂。三氟化氮熔点为-206.8℃,沸点为-129.0℃,不溶于水。三氟化氮在微电子工业中作为一种优良的等离子蚀刻气体,在等离子蚀刻时裂解为活性氟离子,对硅和氮化硅蚀刻时,采用三氟化氮比四氟化碳和四氟化碳与氧气的混合气体有更高的蚀刻速率和选择性,尤其是在厚度小于1.5μm的集成电路材料的蚀刻中,三氟化氮具有非常优异的蚀刻速率和选择性,在被蚀刻物表面不留任何残留物,同时也是非常良好的清洗剂。
项目 Items | 单位 Unit | 指标 Indexs | ||||
三氟化氮(NF3)≥ | Vol.% | 99.5 | 99.9 | 99.98 | 99.99 | 99.996 |
四氟化碳(CF4)≤ | Vol.ppm | 1500 | 500 | 100 | 50 | 20 |
氮气(N2)≤ | Vol.ppm | 700 | 50 | 10 | 10 | 5 |
氧加氩(O2+Ar))≤ | Vol.ppm | 700 | 50 | 10 | 5 | 3 |
一氧化碳(CO)≤ | Vol.ppm | 50 | 10 | 10 | 5 | 1 |
二氧化碳(CO2)≤ | Vol.ppm | 25 | 10 | 10 | 5 | 0.5 |
氧化亚氮(N2O)≤ | Vol.ppm | 50 | 10 | 10 | 5 | 1 |
六氟化硫(SF6)≤ | Vol.ppm | 50 | 50 | 10 | 5 | 2 |
可水解氟化物Hydrolyzable fluoride(Measured by HF)≤ | Vol.ppm | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
水(H2O)≤ | Vol.ppm | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
三氟化氮可用作高能化学激光气的氟源,又可用于多晶硅、氮化硅、硅化钨等半导体材料的蚀刻剂。其亦可用作半导体芯片生产的化学气相沉积室和液晶显示器面板的清洗剂,使用三氟化氮作为CVD箱清洗剂,与全氟烃相比,可减少污染物排放量约90%,且可显著提高清洗速度,提升清洗能力。
三氟化氮充装在钢质无缝气瓶中,钢瓶容积分别为8L、40L、43.3L、47L;钢瓶压力为9.0-13.0MPa。具体包装规格可根据用户需求定制更改。
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